Infineon Technologies S29GL128S10TFIV23

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Mémoire flash NOR parallèle Infineon S29GL128S10TFIV23 de 128 Mbits

Le S29GL128S10TFIV23 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire flash NOR de 128 Mbits à haute fiabilité conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes nécessitant une disponibilité à long terme et des performances éprouvées.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de 128 Mbit (16 Mo) avec une organisation parallèle de 8 M x ​​16 pour un stockage de données flexible
  • Temps d'accès rapide de 100 ns et cycle d'écriture de 60 ns pour des performances système réactives.
  • La large plage de tension (1,65 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures d'alimentation.
  • La plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
  • Conforme à la directive RoHS, avec traçabilité complète des matériaux et documentation de conformité
  • Boîtier TSOP-56 à montage en surface optimisé pour l'assemblage automatisé
  • L'interface parallèle assure une intégration simple avec les conceptions anciennes et modernes.

Applications idéales

Cette mémoire flash NOR est conçue pour les applications exigeant le stockage de code, les mises à jour de firmware et l'enregistrement de données dans les secteurs de l'aérospatiale, des dispositifs médicaux, des commandes industrielles, des infrastructures de télécommunications et des systèmes automobiles, où les longs cycles de vie des produits et la continuité de l'approvisionnement sont essentiels.

Pourquoi choisir ce composant

En tant que distributeur agréé , nous fournissons des composants Infineon authentiques avec une traçabilité complète, la documentation du fabricant et les certificats de conformité. Notre stock bénéficie d'engagements à long terme pour accompagner vos décisions d'intégration et vos exigences de production pour les années à venir.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont conformes à la fiche technique du fabricant d'origine. Contactez-nous pour obtenir la documentation technique détaillée, les certificats de conformité et les informations relatives au cycle de vie du produit.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 100 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 56-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 56-TSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY