Infineon Technologies S29GL128S10TFV023

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Mémoire Flash NOR Infineon S29GL128S10TFV023 - 128 Mbit

La mémoire Flash NOR parallèle S29GL128S10TFV023 d'Infineon Technologies est une mémoire haute performance de 128 Mbit (8 Mo x 16) conçue pour les applications exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable et à longue durée de vie. Appartenant à la gamme GL-S éprouvée, ce composant offre une rétention des données et une endurance exceptionnelles sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits avec une organisation 8 M x 16 pour une gestion flexible des données
  • Performances d'accès rapide : temps d'accès de 100 ns et cycle d'écriture de 60 ns pour un fonctionnement système réactif.
  • Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 105 °C pour les environnements difficiles
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit
  • Fiabilité de niveau industriel : Technologie Flash NOR éprouvée offrant une excellente endurance
  • Alimentation flexible : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour répondre à diverses exigences système

Applications idéales

Idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications et les dispositifs médicaux nécessitant un stockage de code à long terme et la conservation des données avec une disponibilité garantie.

Spécifications techniques

Qualité et conformité

Conforme à la norme RoHS, garantissant responsabilité environnementale et respect des réglementations pour les marchés mondiaux. Bénéficiant de la réputation d'excellence d'Infineon en matière de semi-conducteurs et de disponibilité à long terme de ses produits.

Pourquoi choisir ce composant ?

Lorsque votre conception exige une fiabilité éprouvée, un support étendu tout au long du cycle de vie et une traçabilité garantie, le S29GL128S10TFV023 est la solution idéale. La distribution agréée garantit l'authenticité des composants, ainsi que l'assistance et la documentation complètes du fabricant.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 100 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 56-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 56-TSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY