Infineon Technologies S29GL128S10WEI019
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.87 | Dhs. 7.87 |
| 15+ | Dhs. 7.62 | Dhs. 114.30 |
| 25+ | Dhs. 7.45 | Dhs. 186.25 |
| 50+ | Dhs. 7.04 | Dhs. 352.00 |
| 100+ | Dhs. 6.21 | Dhs. 621.00 |
| N+ | Dhs. 1.24 | Price Inquiry |
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Infineon S29GL128S10WEI019 - Circuit intégré de mémoire flash NOR 128 Mbit
Le S29GL128S10WEI019 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 128 Mbit hautes performances de la série GL-S, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Grâce à son interface parallèle et son organisation mémoire 8M x 16, ce composant offre un temps d'accès rapide de 100 ns et des performances robustes sur une large plage de températures industrielles.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits avec une organisation 8 M x 16 pour une gestion flexible des données
- Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 100 ns et un cycle d'écriture de 60 ns garantissent un fonctionnement système réactif.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour les applications embarquées à haute vitesse
- Large plage de tension : alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente.
- Boîtier CMS (Composant Monté en Surface) : Format puce/plaquette compact pour des conceptions compactes
Applications idéales
Idéale pour les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et tout système embarqué nécessitant un stockage de code et une conservation des données fiables, la mémoire Flash NOR, grâce à son architecture permettant l'exécution sur place (XIP), est parfaitement adaptée au stockage du code de démarrage et du firmware.
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Spécifications techniques
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | GL-S |
| Conditionnement | En vrac | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 ns |
| Temps d'accès | 100 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Mourir |
| Emballage du dispositif du fournisseur | Tranche |
| RoHS |  |
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