Infineon Technologies S29GL128S11DHBV23
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.27 | Dhs. 17.27 |
| 15+ | Dhs. 16.72 | Dhs. 250.80 |
| 25+ | Dhs. 16.35 | Dhs. 408.75 |
| 50+ | Dhs. 15.44 | Dhs. 772.00 |
| 100+ | Dhs. 13.63 | Dhs. 1,363.00 |
| N+ | Dhs. 2.73 | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR Infineon S29GL128S11DHBV23 - 128 Mbit
La puce S29GL128S11DHBV23 d'Infineon Technologies est une mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette mémoire à interface parallèle offre un stockage non volatil fiable avec un temps d'accès de 110 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 105 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de 128 Mbit (16 Mo) avec une organisation de 8 M x 16 pour un stockage de données flexible
- Temps d'accès rapide de 110 ns et cycle d'écriture de 60 ns pour des performances système réactives.
- Plage de températures étendue (-40 °C à 105 °C) pour une fiabilité accrue en environnements difficiles
- Interface parallèle pour le transfert de données à haut débit et la compatibilité avec les systèmes existants
- Fonctionnement à basse tension (2,7 V à 3,6 V) pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier CMS 64-LBGA (FBGA 9x9 mm) pour circuits imprimés compacts
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage et une exécution de code fiables, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, l'avionique aérospatiale, l'infrastructure de télécommunications, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques de périphérie IoT.
Distribution et assistance agréées
Nous fournissons des stocks de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une disponibilité à long terme, afin de soutenir vos programmes critiques et de limiter les risques d'obsolescence. Ressources techniques, conceptions de référence et assistance à l'intégration sont disponibles.
Spécifications complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | GL-S |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 ns |
| Temps d'accès | 110 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-LBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-FBGA (9x9) |
| RoHS |  |
S29GL128S11DHBV23.pdf