Infineon Technologies S29GL128S11DHIV10

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25+ Dhs. 14.67 Dhs. 366.75
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Mémoire Flash NOR Infineon S29GL128S11DHIV10 - 128 Mbit

La mémoire Flash NOR parallèle S29GL128S11DHIV10 d'Infineon Technologies est une solution haute performance de 128 Mbits (8 Mo x 16) conçue pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Cette mémoire non volatile offre une rétention de données fiable avec un temps d'accès rapide de 110 ns et fonctionne sur une plage de températures étendue, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits organisée en 8 Mbits x 16 pour une gestion flexible des données
  • Performances rapides : un temps d’accès de 110 ns et un cycle d’écriture de 60 ns garantissent des opérations de données rapides.
  • Large plage de tension : alimentation de 1,65 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
  • Qualité industrielle : température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Interface parallèle : Interface parallèle standard pour une intégration simple
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 64-FBGA (9 x 9 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.

Applications typiques

  • calculateurs automobiles et systèmes d'infodivertissement
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs médicaux nécessitant un support à long terme
  • Systèmes embarqués avec besoins de stockage de code et de données

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont garanties par Infineon Technologies. Fiche technique complète et documentation relative au cycle de vie disponibles sur demande.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Plateau | Plateau
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 110 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 64-LBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 64-FBGA (9x9)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY