Infineon Technologies S29GL128S90DHI023

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Mémoire flash NOR parallèle Infineon S29GL128S90DHI023 de 128 Mbits

Le S29GL128S90DHI023 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire Flash NOR parallèle haute performance de 128 Mbit de la série GL-S, conçu pour les applications nécessitant un stockage non volatil fiable avec des temps d'accès rapides et une longue durée de vie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 128 Mbits : l’organisation 8M x 16 offre un stockage de données flexible pour les systèmes embarqués.
  • Temps d'accès rapide de 90 ns : permet des opérations de lecture rapides pour les applications critiques en temps réel.
  • Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et actuelles.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact 64-FBGA : son format de 9 x 9 mm optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales et réglementaires des marchés mondiaux

Applications cibles

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux, des infrastructures de télécommunications et autres systèmes critiques nécessitant une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée.

Spécifications techniques complètes

Qualité et conformité

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants 100% traçables avec une documentation complète du fabricant, une certification de conformité RoHS/REACH et un engagement sur le long terme pour répondre à vos exigences d'intégration.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 90 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 64-LBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 64-FBGA (9x9)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY