Infineon Technologies S29GL128S90DHSS40
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.23 | Dhs. 14.23 |
| 15+ | Dhs. 13.78 | Dhs. 206.70 |
| 25+ | Dhs. 13.48 | Dhs. 337.00 |
| 50+ | Dhs. 12.73 | Dhs. 636.50 |
| 100+ | Dhs. 11.24 | Dhs. 1,124.00 |
| N+ | Dhs. 2.25 | Price Inquiry |
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Mémoire flash NOR parallèle Infineon S29GL128S90DHSS40 de 128 Mbits
Le S29GL128S90DHSS40 de la série GL-S d'Infineon Technologies offre une mémoire flash non volatile haute performance pour les systèmes embarqués critiques. Avec une capacité de 128 Mbit organisée en 8 Mbit x 16, ce circuit intégré flash NOR parallèle garantit un temps d'accès rapide de 90 ns et une conservation fiable des données pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits (16 Mo) dans un boîtier compact à montage en surface 64-FBGA (9 × 9 mm).
- Performances d'accès rapides : temps d'accès de 90 ns et cycle d'écriture de 60 ns pour un fonctionnement système réactif.
- Interface parallèle : l’accès direct à la mémoire mappée simplifie l’intégration et réduit la latence.
- Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V, compatible avec diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : 0 °C à 85 °C (TA) pour un fonctionnement fiable dans des environnements exigeants.
- Conforme à la directive RoHS : fabrication sans plomb et respectueuse de l’environnement
Applications idéales
Cette mémoire flash NOR est conçue pour les applications nécessitant une disponibilité à long terme, l'exécution de code sur place (XIP) et des performances de lecture déterministes, notamment le stockage de firmware, le code de démarrage, les données de configuration et les systèmes embarqués en temps réel dans les secteurs de l'aérospatiale, des calculateurs automobiles, de l'automatisation industrielle, de l'instrumentation médicale et des infrastructures de télécommunications.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | GL-S |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 ns |
| Temps d'accès | 90 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-LBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-FBGA (9x9) |
| RoHS |  |
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