Infineon Technologies S29GL128S90FHSS10
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.46 | Dhs. 14.46 |
| 15+ | Dhs. 13.99 | Dhs. 209.85 |
| 25+ | Dhs. 13.69 | Dhs. 342.25 |
| 50+ | Dhs. 12.93 | Dhs. 646.50 |
| 100+ | Dhs. 11.41 | Dhs. 1,141.00 |
| N+ | Dhs. 2.28 | Price Inquiry |
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Mémoire flash NOR haute performance Infineon S29GL128S90FHSS10 de 128 Mbits
La S29GL128S90FHSS10 d'Infineon Technologies est une mémoire flash NOR parallèle 128 Mbit haut de gamme de la série GL-S, conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité exceptionnelle et un cycle de vie étendu. Ce composant à montage en surface (CMS) dispose d'une organisation mémoire 8M x 16 avec un temps d'accès de 90 ns, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages :
- Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits dans un boîtier compact 64-FBGA (13 × 11 mm).
- Performances rapides : temps d’accès de 90 ns et cycle d’écriture de 60 ns pour un fonctionnement système réactif.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de 0 °C à 85 °C
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
- Fiabilité critique : Conçu pour une disponibilité tout au long du cycle de vie et une traçabilité complète
Ce composant est conditionné en plateau et bénéficie de l'engagement d'Infineon en matière de qualité et de support technique. Il est idéal pour les ingénieurs concepteurs qui recherchent des solutions de mémoire non volatile fiables pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware et l'exécution de code.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | GL-S |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 ns |
| Temps d'accès | 90 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-LBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-FBGA (13x11) |
| RoHS |  |
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