Infineon Technologies S29GL128S90GHI020

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25+ Dhs. 13.48 Dhs. 337.00
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Mémoire flash NOR parallèle Infineon S29GL128S90GHI020 de 128 Mbits

La mémoire flash NOR parallèle S29GL128S90GHI020 d'Infineon Technologies est une mémoire haute fiabilité de 128 Mbit conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Appartenant à la gamme éprouvée GL-S, ce composant offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 90 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits avec une organisation de mémoire de 8 M x 16
  • Accès rapide : temps d’accès de 90 ns et cycle d’écriture de 60 ns pour des performances système réactives.
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C
  • Alimentation flexible : plage de tension de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
  • Montage en surface compact : boîtier 56-VFBGA (9 x 7 mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Cette mémoire flash NOR parallèle est conçue pour les applications à long cycle de vie nécessitant le stockage de code, les mises à jour de firmware et l'enregistrement de données dans des environnements difficiles. Elle est plébiscitée par les ingénieurs concepteurs de systèmes embarqués, de contrôleurs industriels, de calculateurs automobiles, de dispositifs médicaux et d'infrastructures de télécommunications.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé offrant une traçabilité complète, la conformité RoHS/REACH et un support à long terme pour les conceptions critiques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 90 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 56-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 56-FBGA (9x7)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY