Infineon Technologies S29GL256S10DHAV10

Mémoire flash NOR haute performance Infineon S29GL256S10DHAV10 de 256 Mbits

La mémoire Flash NOR S29GL256S10DHAV10 d'Infineon Technologies est une solution haut de gamme de 256 Mbits conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette mémoire Flash parallèle haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 100 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce qui la rend idéale pour les environnements industriels exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : capacité de 256 Mbits (32 Mo) avec une organisation de mémoire de 16 M x 16
• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 100 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Interface parallèle : Interface mémoire parallèle efficace pour le transfert de données à haut débit
• Large plage de tension : fonctionne de 1,65 V à 3,6 V pour une alimentation flexible.
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Boîtier compact : le boîtier CMS 64-LBGA (FBGA 9 x 9 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de code, aux mises à jour de firmware, à l'enregistrement de données et au code de démarrage des systèmes embarqués. Elle est couramment utilisée dans les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements médicaux, les infrastructures réseau, l'avionique aérospatiale et les systèmes de télécommunications, où la fiabilité et l'intégrité des données sont primordiales.

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