Infineon Technologies S29GL256S11FHIV13

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Mémoire flash NOR haute performance Infineon S29GL256S11FHIV13 de 256 Mbits

La puce S29GL256S11FHIV13 d'Infineon Technologies est une mémoire flash NOR parallèle de 256 Mbits haut de gamme, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications. Appartenant à la gamme GL-S d'Infineon, une série éprouvée, cette mémoire flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 110 ns et un temps de cycle d'écriture de 60 ns, ce qui la rend idéale pour le stockage de code, les mises à jour de firmware et l'enregistrement de données dans des environnements exigeants.

Doté d'une architecture mémoire 16M x 16 et d'une interface parallèle, le S29GL256S11FHIV13 fonctionne sur une large plage de tensions (1,65 V à 3,6 V) et de températures (-40 °C à 85 °C), garantissant un fonctionnement fiable même dans des conditions difficiles. Son boîtier CMS 64-LBGA offre d'excellentes performances thermiques et un encombrement réduit, idéal pour les systèmes embarqués compacts.

Spécifications techniques

Principales applications et avantages

Cette mémoire flash NOR est spécialement conçue pour les applications exigeant un accès aléatoire rapide, une fiabilité élevée et la capacité d'exécution sur place (XIP). Elle est notamment utilisée pour le stockage du BIOS, le code de démarrage des microcontrôleurs, le stockage des données de configuration et les référentiels de microprogrammes dans les calculateurs automobiles, les systèmes avioniques, les dispositifs médicaux et les équipements d'automatisation industrielle.

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Disponibilité des stocks : Contactez notre équipe d’ingénierie pour connaître les niveaux de stock actuels, les prix dégressifs et la documentation technique, y compris les notes d’application et les ressources de conception.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 110 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 64-LBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 64-FBGA (13x11)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY