Infineon Technologies S70KL1282DPBHA023

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25+ Dhs. 14.63 Dhs. 365.75
50+ Dhs. 13.82 Dhs. 691.00
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Infineon S70KL1282DPBHA023 - PSRAM HyperRAM™ 128 Mbits

Le S70KL1282DPBHA023 d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM pseudo (PSRAM) haute performance de 128 Mbit dotée de l'interface avancée HyperBus™, conçue pour les applications nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une connectivité à faible nombre de broches.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 36 ns pour les applications temps réel exigeantes.
  • Organisation efficace de la mémoire : configuration 16 Mo x 8 optimisée pour les systèmes embarqués et les dispositifs IoT
  • Interface HyperBus : réduit le nombre de broches et simplifie le routage sur circuit imprimé par rapport aux interfaces parallèles traditionnelles.
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C adaptée aux applications industrielles et automobiles
  • Alimentation flexible : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une compatibilité avec diverses architectures système.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
  • Boîtier CMS : 24-VBGA (FBGA 6 x 8 mm) pour les conceptions à espace restreint

Applications typiques

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et l'électronique grand public nécessitant une mémoire tampon rapide, la duplication de code ou la mise en cache des données.

Spécifications techniques complètes

Qualité et traçabilité

Tous les produits proviennent directement de distributeurs agréés, garantissant une traçabilité complète du fabricant et étant conformes aux normes RoHS/REACH. Un support technique à long terme assure leur disponibilité pour les programmes de production pluriannuels.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits HYPERRAM™ KL
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire HyperBus
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 36 ns
Temps d'accès 36 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-VBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-FBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY