Infineon Technologies S70KL1282GABHB030
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.65 | Dhs. 14.65 |
| 15+ | Dhs. 14.20 | Dhs. 213.00 |
| 25+ | Dhs. 13.89 | Dhs. 347.25 |
| 50+ | Dhs. 13.12 | Dhs. 656.00 |
| 100+ | Dhs. 11.57 | Dhs. 1,157.00 |
| N+ | Dhs. 2.31 | Price Inquiry |
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Infineon S70KL1282GABHB030 - PSRAM HyperRAM™ 128 Mbits
L' Infineon S70KL1282GABHB030 est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 128 Mbits de la série HYPERRAM™ KL, conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable dans un format compact. Doté d'une interface HyperBus avec une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 35 ns, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 128 Mbit (16 Mo x 8) avec technologie PSRAM
- Interface HyperBus pour le transfert de données à haut débit à 200 MHz
- Temps de cycle d'accès et d'écriture rapide de 35 ns
- Large plage de tension de fonctionnement : 2,7 V à 3,6 V
- Plage de températures industrielles étendue : -40 °C à 105 °C (TA)
- Boîtier compact à montage en surface 24-FBGA (6 x 8 mm)
- Conforme à la norme RoHS avec traçabilité complète
Applications : Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements médicaux et les infrastructures de télécommunications nécessitant des solutions de mémoire à haute vitesse et faible latence.
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Infineon authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'un support technique tout au long du cycle de vie et d'une certification de conformité (RoHS/REACH). Tous nos produits sont expédiés avec une traçabilité complète et une assurance qualité.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | HYPERRAM™ KL |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-VBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
| RoHS |  |
S70KL1282GABHB030.pdf