Infineon Technologies S70KL1282GABHV023
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.80 | Dhs. 14.80 |
| 15+ | Dhs. 14.33 | Dhs. 214.95 |
| 25+ | Dhs. 14.02 | Dhs. 350.50 |
| 50+ | Dhs. 13.24 | Dhs. 662.00 |
| 100+ | Dhs. 11.69 | Dhs. 1,169.00 |
| N+ | Dhs. 2.34 | Price Inquiry |
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Infineon S70KL1282GABHV023 - Circuit intégré de mémoire PSRAM HyperRAM™ 128 Mbit
L' Infineon S70KL1282GABHV023 est un circuit intégré de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 128 Mbits de la série HYPERRAM™ KL. Conçu pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable dans un format compact, il est doté d'une interface HyperBus et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz. Cette solution mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués des secteurs automobile, industriel, médical, aérospatial et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 35 ns pour un traitement rapide des données
- Boîtier compact 24-FBGA : conception à montage en surface de 6 x 8 mm peu encombrante, idéale pour les applications à espace restreint.
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à +105 °C pour les environnements industriels et automobiles
- Interface HyperBus : Intégration simplifiée grâce à un nombre de broches réduit et une consommation d’énergie moindre.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
- Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’Infineon en faveur d’une disponibilité produit étendue
Applications
Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux, l'avionique aérospatiale, l'infrastructure de télécommunications et l'informatique de périphérie IoT où une mémoire fiable et rapide est essentielle.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi nous choisir ? En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Infineon 100 % authentiques avec une traçabilité complète, une documentation de conformité RoHS/REACH et un support à long terme pour vos applications critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | HYPERRAM™ KL |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-VBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
| RoHS |  |
S70KL1282GABHV023.pdf