Infineon Technologies S70KS1282GABHV023
Prix habituel
Dhs. 14.80
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Dhs. 15.58
Prix promotionnel
Dhs. 14.80
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.80 | Dhs. 14.80 |
| 15+ | Dhs. 14.33 | Dhs. 214.95 |
| 25+ | Dhs. 14.02 | Dhs. 350.50 |
| 50+ | Dhs. 13.24 | Dhs. 662.00 |
| 100+ | Dhs. 11.69 | Dhs. 1,169.00 |
| N+ | Dhs. 2.34 | Price Inquiry |
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Infineon S70KS1282GABHV023 - Circuit intégré de mémoire PSRAM HyperRAM 128 Mbit
La S70KS1282GABHV023 d'Infineon Technologies est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 128 Mbit dotée de l'interface HyperBus avancée. Appartenant à la gamme HYPERRAM™ KS, cette solution de mémoire volatile offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles pour les applications embarquées exigeant un accès mémoire rapide et à faible latence.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 35 ns pour un débit de données rapide.
- Architecture mémoire flexible : capacité de 128 Mbits organisée en 16 Mbits x 8 pour une intégration système polyvalente
- Interface avancée : l’interface HyperBus réduit le nombre de broches tout en maintenant une bande passante élevée.
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 105 °C adaptée aux applications industrielles et automobiles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V pour des conceptions économes en énergie
- Conditionnement compact : le boîtier CMS 24-VBGA (PG-BGA-24-801) permet de gagner de la place sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire HyperRAM PSRAM est parfaitement adaptée aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs IoT périphériques, aux équipements de réseau et à toute application embarquée nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une latence minimale.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | HYPERRAM™ KS |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-VBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | PG-BGA-24-801 |
| RoHS |  |
S70KS1282GABHV023.pdf
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