Infineon Technologies S72XS256RE0AHBH20
Prix habituel
Dhs. 15.73
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Dhs. 16.56
Prix promotionnel
Dhs. 15.73
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.73 | Dhs. 15.73 |
| 15+ | Dhs. 15.24 | Dhs. 228.60 |
| 25+ | Dhs. 14.90 | Dhs. 372.50 |
| 50+ | Dhs. 14.08 | Dhs. 704.00 |
| 100+ | Dhs. 12.42 | Dhs. 1,242.00 |
| N+ | Dhs. 2.48 | Price Inquiry |
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Infineon S72XS256RE0AHBH20 - Solution de mémoire double haute performance
Le S72XS256RE0AHBH20 d'Infineon Technologies combine 256 Mbit de mémoire FLASH et 256 Mbit de mémoire DRAM DDR dans un boîtier FBGA 133 broches compact. Conçu pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, des télécommunications et aérospatial, ce circuit intégré mémoire de la série XS-R offre des performances fiables sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Architecture à double mémoire : mémoire FLASH non volatile de 256 Mbits + mémoire DRAM DDR volatile de 256 Mbits pour un stockage et un traitement des données flexibles.
- Fonctionnement à haute vitesse : fréquence d'horloge de 108 MHz avec interface parallèle pour un accès rapide aux données
- Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantit des performances constantes même dans des environnements difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 133-VFBGA (8 x 8 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions écoénergétiques
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Idéal pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les systèmes aérospatiaux nécessitant une mémoire fiable et performante avec un support à long terme et une traçabilité complète.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | XS-R |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil, volatil |
| Format de mémoire | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH, DRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbit (FLASH), 256 Mbit (DDR DRAM) |
| Organisation de la mémoire | - |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 108 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 133-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 133-FBGA (8x8) |
| RoHS |  |
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