Infineon Technologies S72XS256RE0AHBH23
Prix habituel
Dhs. 15.85
Prix habituel
Dhs. 16.67
Prix promotionnel
Dhs. 15.85
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.85 | Dhs. 15.85 |
| 15+ | Dhs. 15.34 | Dhs. 230.10 |
| 25+ | Dhs. 15.00 | Dhs. 375.00 |
| 50+ | Dhs. 14.17 | Dhs. 708.50 |
| 100+ | Dhs. 12.50 | Dhs. 1,250.00 |
| N+ | Dhs. 2.50 | Price Inquiry |
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Request Quote / Inquiry
Infineon S72XS256RE0AHBH23 - Circuit intégré à double mémoire haute performance
Le S72XS256RE0AHBH23 d'Infineon Technologies est une solution mémoire de pointe combinant mémoire Flash non volatile et mémoire DRAM DDR volatile dans un boîtier compact. Appartenant à la gamme de produits avancés XS-R, ce circuit intégré offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués exigeant un accès mémoire rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages :
- Architecture à double mémoire : 256 Mbits de mémoire Flash (non volatile) + 256 Mbits de mémoire DRAM DDR (volatile) pour un stockage de données polyvalent
- Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 108 MHz avec interface parallèle pour un transfert de données rapide
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
- Conception compacte pour montage en surface : boîtier 133-VFBGA (8x8) optimisé pour les applications à espace restreint
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions écoénergétiques
- Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales :
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire haute densité et haute vitesse avec une tolérance aux températures étendues.
Spécifications techniques complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | XS-R |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil, volatil |
| Format de mémoire | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH, DRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbit (FLASH), 256 Mbit (DDR DRAM) |
| Organisation de la mémoire | - |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 108 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 133-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 133-FBGA (8x8) |
| RoHS |  |
No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.
×