Infineon Technologies S80KS2562GABHI023

Infineon S80KS2562GABHI023 - PSRAM HyperRAM™ 256 Mbit

Solution de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 256 Mbits d'Infineon Technologies, dotée de la technologie d'interface HyperBus™. Idéale pour les systèmes embarqués, les objets connectés, les applications automobiles et les équipements industriels nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec capacité d'auto-rafraîchissement.

Caractéristiques principales :

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 35 ns
• Grande capacité : organisation de la mémoire de 256 Mbit (32 Mo x 8).
• Interface avancée : interface HyperBus pour un transfert de données efficace
• Plage de températures de fonctionnement étendue : de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V pour une efficacité énergétique optimale.
• Boîtier compact : boîtier CMS 24-FBGA (6 x 8 mm)
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications :

Idéal pour l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux, les systèmes de contrôle industriels et les applications informatiques embarquées hautes performances nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir ce produit ?

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Infineon authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et une assurance qualité. Cette solution HyperRAM offre des performances supérieures pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

• S80KS2562GABHI023.pdf