Infineon Technologies S80KS2563GABHI023
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.74 | Dhs. 16.74 |
| 15+ | Dhs. 16.23 | Dhs. 243.45 |
| 25+ | Dhs. 15.88 | Dhs. 397.00 |
| 50+ | Dhs. 14.99 | Dhs. 749.50 |
| 100+ | Dhs. 13.23 | Dhs. 1,323.00 |
| N+ | Dhs. 2.65 | Price Inquiry |
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Infineon HYPERRAM™ S80KS2563GABHI023 - PSRAM octale xSPI haute performance de 256 Mbit
La puce Infineon S80KS2563GABHI023 est une solution de mémoire pseudo-SRAM (PSRAM) de 256 mégabits de pointe, issue de la célèbre famille HYPERRAM™. Conçue pour les applications embarquées hautes performances, cette puce mémoire offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles grâce à son interface octale xSPI avancée fonctionnant à 200 MHz.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 35 ns pour un traitement rapide des données.
- Interface xSPI octale : Interface SPI avancée avec E/S octales pour un débit maximal
- Configuration mémoire optimale : capacité de 256 Mbits organisée en 32 Mbits x 8 pour une intégration système flexible
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
- Boîtier compact pour montage en surface : Boîtier 24-FBGA (6 x 8 mm) peu encombrant, idéal pour les conceptions compactes.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.
Applications idéales :
Idéal pour les appareils IoT, les systèmes automobiles, l'automatisation industrielle, l'électronique grand public et toute application embarquée nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec des capacités d'auto-rafraîchissement.
Spécifications techniques :
Pourquoi choisir Infineon HYPERRAM™ ?
Infineon Technologies est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, et la série HYPERRAM™ représente le summum de la technologie PSRAM. Grâce à sa fiabilité éprouvée, son support étendu tout au long du cycle de vie et sa documentation technique complète, cette solution mémoire garantit que vos conceptions répondent aux normes les plus exigeantes en matière de performance et de qualité.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | HYPERRAM™ |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - E/S octales |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-VBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
| RoHS |  |
S80KS2563GABHI023.pdf