Winbond Electronics W25N01JWSFIT TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.85 | Dhs. 9.85 |
| 15+ | Dhs. 9.55 | Dhs. 143.25 |
| 25+ | Dhs. 9.34 | Dhs. 233.50 |
| 50+ | Dhs. 8.82 | Dhs. 441.00 |
| 100+ | Dhs. 7.79 | Dhs. 779.00 |
| N+ | Dhs. 1.56 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | SpiFlash® |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 700 µs |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOIC |
| RoHS |  |
Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance Winbond W25N01JWSFIT TR
La mémoire flash NAND SPI W25N01JWSFIT TR de Winbond Electronics offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette mémoire de pointe dispose d'une capacité de 1 Gbit et d'une organisation de 128 Mbits x 8, assurant un stockage non volatil robuste avec une endurance et une rétention des données supérieures.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR pour un accès rapide aux données (temps d’accès de 6 ns).
- Fiabilité de niveau industriel : une large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) garantit des performances constantes même dans des environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : la tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l'efficacité énergétique des systèmes embarqués et alimentés par batterie.
- Cycles d'écriture rapides : un temps de cycle d'écriture de 700 µs permet des opérations d'enregistrement et de stockage de données efficaces.
- Conception compacte : boîtier CMS SOIC 16 broches (largeur 7,50 mm) idéal pour les circuits imprimés compacts.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash NAND haute fiabilité est conçue pour les systèmes embarqués exigeants, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'informatique de périphérie IoT, les systèmes d'acquisition de données et les infrastructures de télécommunications. La technologie SLC (Single-Level Cell) garantit une endurance et une intégrité des données supérieures pour les applications nécessitant une fiabilité à long terme.
Qualité et conformité
Conforme à la directive RoHS et fabriqué selon les normes de qualité rigoureuses de Winbond, le W25N01JWSFIT TR répond aux exigences strictes des applications critiques pour la sécurité et à haute fiabilité dans de nombreux secteurs.
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