Winbond Electronics W25N512GVEIR TR

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Mémoire flash NAND SPI haute performance Winbond W25N512GVEIR TR - 512 Mbit

La mémoire Flash NAND SPI W25N512GVEIR TR de Winbond Electronics est une solution haut de gamme de 512 Mbits (64 Mo x 8) conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Appartenant à la célèbre gamme SpiFlash® de Winbond, ce composant offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans un boîtier compact 8-WSON.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 166 MHz et l’interface SPI Quad E/S garantissent un accès et un transfert de données rapides.
  • Capacité généreuse : la mémoire de 512 Mbits offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, l’enregistrement des données et le code applicatif.
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Alimentation flexible : la plage de tension de 2,7 V à 3,6 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.
  • Performances d'écriture rapides : un cycle d'écriture de 700 µs et un temps d'accès de 6 ns optimisent la réactivité du système.
  • Conception compacte : le boîtier CMS 8-WDFN à pastille exposée (8-WSON 8x6 mm) minimise l'encombrement sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire flash SLC NAND est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux contrôleurs industriels, aux appareils IoT, aux systèmes embarqués, aux équipements d'acquisition de données et au stockage de firmware, où la fiabilité à long terme et l'intégrité des données sont essentielles.

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits SpiFlash®
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 700 µs
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY