Winbond Electronics W25N512GWEIT TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.52 | Dhs. 6.52 |
| 15+ | Dhs. 6.31 | Dhs. 94.65 |
| 25+ | Dhs. 6.17 | Dhs. 154.25 |
| 50+ | Dhs. 5.83 | Dhs. 291.50 |
| 100+ | Dhs. 5.15 | Dhs. 515.00 |
| N+ | Dhs. 1.03 | Price Inquiry |
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Mémoire flash NAND SPI haute performance Winbond W25N512GWEIT TR - 512 Mbit
La puce W25N512GWEIT TR de Winbond Electronics représente une solution de pointe pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable et haute densité. Ce circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI authentique de 512 Mbit offre des performances exceptionnelles grâce à ses quatre interfaces d'E/S, ce qui le rend idéal pour les applications industrielles, automobiles, IoT et embarquées nécessitant une stabilité d'alimentation à long terme et une fiabilité éprouvée.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 512 Mbits (64 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et le code applicatif.
- Performances rapides : une fréquence d’horloge de 104 MHz avec un temps d’accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Interface avancée : l’interface SPI Quad E/S maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches pour les conceptions à espace limité.
- Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Conditionnement prêt pour la production : le format bande et bobine (TR) simplifie les processus d’assemblage et de fabrication automatisés.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (8 x 6 mm) avec pastille exposée améliore les performances thermiques.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
La mémoire W25N512GWEIT TR excelle dans les applications exigeantes telles que les contrôleurs d'automatisation industrielle, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents, les équipements d'infrastructure réseau et les dispositifs IoT. Sa technologie NAND SLC garantit une endurance et une rétention des données supérieures aux alternatives MLC, ce qui en fait le choix idéal pour les systèmes critiques nécessitant une disponibilité à long terme garantie.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | SpiFlash® |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 700 µs |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (8x6) |
| RoHS |

W25N512GWEIT TR.pdf