Winbond Electronics W25Q128JWFIN TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.65 | Dhs. 4.65 |
| 15+ | Dhs. 4.52 | Dhs. 67.80 |
| 25+ | Dhs. 4.42 | Dhs. 110.50 |
| 50+ | Dhs. 4.17 | Dhs. 208.50 |
| 100+ | Dhs. 3.68 | Dhs. 368.00 |
| N+ | Dhs. 0.74 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | SpiFlash® |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 3 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOIC |
| RoHS |  |
Mémoire flash SPI haute performance Winbond W25Q128JWFIN TR - 128 Mbit
Le W25Q128JWFIN TR de Winbond Electronics est une mémoire Flash NOR SPI Quad E/S de 128 Mbits haut de gamme, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Appartenant à la célèbre famille de produits SpiFlash® , ce circuit intégré offre une fiabilité exceptionnelle, des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie pour les applications critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : une capacité de 128 Mbits (16 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le stockage du micrologiciel, des données et du code.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent des opérations de lecture/écriture rapides.
- Interface E/S quadruple : la prise en charge des E/S quadruples SPI permet un transfert de données à haut débit pour les applications gourmandes en bande passante.
- Large plage de tension : le fonctionnement de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions basse consommation.
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA), qualification pour les environnements difficiles.
- Conception pour montage en surface : le boîtier SOIC à 16 broches (largeur de 7,50 mm) simplifie l’intégration sur circuit imprimé et l’assemblage automatisé.
- Conditionnement prêt pour la production : format bande et bobine (TR) pour la fabrication en grande série
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire flash est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux appareils IoT, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements médicaux, aux infrastructures de télécommunications et à toute application nécessitant un stockage de programmes et de données non volatil et à haute vitesse avec une endurance exceptionnelle.
Spécifications techniques
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