Winbond Electronics W25Q512NWEIM TR

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15+ Dhs. 17.09 Dhs. 256.35
25+ Dhs. 16.72 Dhs. 418.00
50+ Dhs. 15.79 Dhs. 789.50
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Mémoire Flash NOR SPI Winbond W25Q512NWEIM TR - 512 Mbit

Le W25Q512NWEIM TR de Winbond Electronics est un dispositif de mémoire Flash NOR série haute performance de 512 Mbit de la famille SpiFlash®, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications nécessitant un stockage non volatil fiable avec une prise en charge étendue du cycle de vie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits (64 Mo) avec une organisation de 64 M x 8
  • Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz, temps d’accès de 6 ns et cycle d’écriture de page de 3 ms.
  • Interface avancée : modes SPI Quad I/O, QPI et DTR pour un transfert de données flexible et à haut débit
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V pour des conceptions à faible consommation d’énergie
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (8 x 6 mm) compact avec pastille exposée
  • Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé

Applications idéales

Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une disponibilité à long terme et une traçabilité complète du fabricant.

Avantages des distributeurs agréés

Nous fournissons des composants Winbond authentiques avec une documentation complète, des garanties d'authenticité et un support technique à long terme pour protéger votre investissement et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits SpiFlash®
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 3 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY