Winbond Electronics W29GL128CH9T TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.82 | Dhs. 6.82 |
| 15+ | Dhs. 6.61 | Dhs. 99.15 |
| 25+ | Dhs. 6.47 | Dhs. 161.75 |
| 50+ | Dhs. 6.11 | Dhs. 305.50 |
| 100+ | Dhs. 5.39 | Dhs. 539.00 |
| N+ | Dhs. 1.08 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16 m x 8, 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 90 ns |
| Temps d'accès | 90 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 56-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 56-TSOP |
| RoHS |  |
Présentation du produit
La mémoire flash NOR parallèle Winbond W29GL128CH9T TR est un circuit intégré haute performance de 128 Mbits, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de systèmes embarqués exigeant un stockage de données non volatiles fiable. Ce composant semi-conducteur authentique offre une double organisation de mémoire (16 Mbit x 8 ou 8 Mbit x 16), un temps d'accès rapide de 90 ns et une large plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C, ce qui le rend idéal pour les applications critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Haute capacité : capacité de stockage de 128 Mbit (16 Mo) pour le code et les données
- Organisation flexible : configurable en 16 m x 8 ou 8 m x 16 pour une grande polyvalence de conception.
- Performances rapides : un temps d'accès de 90 ns garantit des opérations de lecture rapides.
- Qualité industrielle : plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Faible consommation : tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb
- Montage en surface : boîtier 56-TSOP optimisé pour l’assemblage automatisé
- Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production en grande série
Applications
Cette mémoire flash NOR parallèle est parfaitement adaptée aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels, aux passerelles IoT, au stockage de firmware embarqué, au code BIOS/démarrage, aux systèmes d'enregistrement de données et aux équipements de télécommunications où une mémoire fiable, rapide et non volatile est essentielle.
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