Winbond Electronics W632GG8NB11I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.10 | Dhs. 15.10 |
| 15+ | Dhs. 14.61 | Dhs. 219.15 |
| 25+ | Dhs. 14.29 | Dhs. 357.25 |
| 50+ | Dhs. 13.50 | Dhs. 675.00 |
| 100+ | Dhs. 11.91 | Dhs. 1,191.00 |
| N+ | Dhs. 2.38 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
Winbond W632GG8NB11I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance
Le Winbond W632GG8NB11I est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 de 2 gigabits conçu pour les applications industrielles et embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide. Avec une architecture 256M x 8 et une fréquence d'horloge de 933 MHz, ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes à forte intensité de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 933 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns garantissent un débit de données rapide.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 95 °C (TC), ce qui le rend adapté aux environnements difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) optimise l’espace sur la carte dans les applications à espace restreint.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
- Fiabilité éprouvée : Fabriqué par Winbond Electronics, un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire
Applications typiques
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Infrastructure de télécommunications
- Équipements et instruments médicaux
- Plateformes informatiques embarquées
- Équipements de réseau haute performance
Spécifications techniques complètes
Qualité et traçabilité
Tous les modules Winbond W632GG8NB11I proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés d'une documentation complète de traçabilité du fabricant. Nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants et assurons un support complet tout au long du cycle de vie de vos conceptions critiques.
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Winbond W632GG8NB11I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit, 256 Mo x 8, 933 MHz, 78 VFBGA.pdf