Winbond Electronics W632GG8NB11I TR

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel $3.66
Prix habituel $3.85 Prix promotionnel $3.66
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 $3.66 $3.66
15+ $3.54 $53.10
25+ $3.47 $86.75
50+ $3.27 $163.50
100+ $2.89 $289.00
N+ $0.58 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 8
Interface mémoire SSTL_15
Fréquence d'horloge 933 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,425 V ~ 1,575 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-VFBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Winbond W632GG8NB11I TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance

Le Winbond W632GG8NB11I TR est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Doté d'une organisation mémoire de 256 Mbits x 8 et d'une fréquence d'horloge de 933 MHz, ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à sa compatibilité avec l'interface SSTL_15.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8
  • Technologie DDR3 SDRAM pour un transfert de données à haute vitesse
  • Fréquence d'horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 95 °C (TC)
  • Fonctionnement à basse tension : 1,425 V à 1,575 V
  • Boîtier 78-VFBGA (8x10,5) pour une conception compacte
  • Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
  • Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications : Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables et performantes.

Qualité et conformité : Fabriqué par Winbond Electronics avec une traçabilité complète et conforme aux normes RoHS/REACH. Convient aux applications à long cycle de vie avec prise en charge de l’intégration dès la conception.

Spécifications techniques complètes


Ressources connexes

Explorez davantage de solutions semi-conducteurs hautes performances :