Winbond Electronics W632GU8QB-11 TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.40 | Dhs. 9.40 |
| 15+ | Dhs. 9.10 | Dhs. 136.50 |
| 25+ | Dhs. 8.90 | Dhs. 222.50 |
| 50+ | Dhs. 8.41 | Dhs. 420.50 |
| 100+ | Dhs. 7.42 | Dhs. 742.00 |
| N+ | Dhs. 1.48 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
Winbond W632GU8QB-11 TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L haute performance
Le W632GU8QB-11 TR de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit haute fiabilité, conçu pour les systèmes embarqués critiques. Cette solution mémoire avancée offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 933 MHz et une consommation d'énergie ultra-faible, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : une capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées complexes.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 933 MHz avec un temps d'accès de 20 ns garantit un traitement rapide des données et une réactivité système optimale.
- Fonctionnement à faible consommation : la technologie DDR3L, avec une tension d’alimentation de 1,283 V à 1,45 V, réduit la consommation d’énergie jusqu’à 15 % par rapport à la DDR3 standard.
- Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC), idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Le W632GU8QB-11 TR est spécialement conçu pour les applications embarquées exigeantes, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Systèmes d'infodivertissement automobile, ADAS et unités de contrôle du moteur
- Automatisation industrielle et contrôle des processus
- Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
- Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
- Plateformes informatiques à haute fiabilité
Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?
Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haut de gamme pour les applications critiques. Notre vaste inventaire comprend une gamme complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire provenant de fabricants de renom tels que Winbond Electronics, vous garantissant ainsi l'accès à des composants de la plus haute qualité pour vos systèmes embarqués.
Restez informé des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des tendances du secteur et des nouveaux produits en consultant notre blog technique , où nous partageons des analyses d'experts et des notes d'application pour vous aider à prendre des décisions de conception éclairées.
No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.
