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15+ Dhs. 12.93 Dhs. 193.95
25+ Dhs. 12.65 Dhs. 316.25
50+ Dhs. 11.94 Dhs. 597.00
100+ Dhs. 10.54 Dhs. 1,054.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 1,067 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,283 V ~ 1,45 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-VFBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Winbond W632GU8QB09I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L haute performance

Le W632GU8QB09I de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit haut de gamme, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 1,067 GHz et un temps de cycle d'écriture ultra-rapide de 15 ns, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant une disponibilité à long terme et une traçabilité complète.

Principales caractéristiques et avantages

  • Mémoire haute densité : une capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués complexes.
  • Faible consommation d'énergie : la technologie DDR3L fonctionne entre 1,283 V et 1,45 V, réduisant ainsi la consommation tout en maintenant les performances.
  • Plage de température étendue : la plage de fonctionnement de -40 °C à 95 °C (TC) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles.
  • Temps d'accès rapides : un temps d'accès de 20 ns et un cycle d'écriture de 15 ns permettent un traitement rapide des données.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Le W632GU8QB09I est spécialement conçu pour les applications critiques exigeant une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée. Exemples d'applications courantes :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant un fonctionnement à température prolongée
  • Plateformes d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications

Qualité et conformité

Ce circuit intégré de mémoire est fabriqué selon les normes de qualité les plus strictes et est entièrement conforme à la directive RoHS, garantissant ainsi le respect de l'environnement et des réglementations internationales. Chaque composant est entièrement traçable et une documentation complète est fournie pour les applications nécessitant une gestion du cycle de vie à long terme.

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