Winbond Electronics W632GU8RB09I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.05 | Dhs. 11.05 |
| 15+ | Dhs. 10.72 | Dhs. 160.80 |
| 25+ | Dhs. 10.49 | Dhs. 262.25 |
| 50+ | Dhs. 9.90 | Dhs. 495.00 |
| 100+ | Dhs. 8.74 | Dhs. 874.00 |
| N+ | Dhs. 1.75 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 1,066 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
W632GU8RB09I - Solution de mémoire SDRAM DDR3 haute fiabilité
La puce mémoire W632GU8RB09I de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit haut de gamme conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son architecture mémoire robuste de 256 Mo x 8 et à sa fréquence d'horloge de 1,066 GHz, cette solution mémoire haute performance offre une fiabilité exceptionnelle dans les environnements les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8 pour un stockage de données efficace
- Performances rapides : une fréquence d’horloge de 1,066 GHz avec un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 95 °C (TC), idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle avec technologie DDR3 SDRAM
- Boîtier compact pour montage en surface : 78-VFBGA (8 x 10,5) pour des circuits imprimés compacts.
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 1,283 V à 1,45 V pour une gestion flexible de l’alimentation
Spécifications techniques
Applications
Cette puce mémoire haute fiabilité est spécialement conçue pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant un fonctionnement à température prolongée
- Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Systèmes embarqués nécessitant une disponibilité à long terme
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Produits et ressources connexes
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