Winbond Electronics W66AP6NBUAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.39 | Dhs. 11.39 |
| 15+ | Dhs. 11.03 | Dhs. 165.45 |
| 25+ | Dhs. 10.79 | Dhs. 269.75 |
| 50+ | Dhs. 10.19 | Dhs. 509.50 |
| 100+ | Dhs. 8.99 | Dhs. 899.00 |
| N+ | Dhs. 1.80 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4 mobile |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 1,867 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-WFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
Mémoire SDRAM LPDDR4 haute performance Winbond W66AP6NBUAGJ TR
La mémoire Winbond W66AP6NBUAGJ TR est une mémoire SDRAM LPDDR4 1 Gbit haut de gamme pour applications mobiles, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire semi-conductrice haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 1,867 GHz et un temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués et les plateformes informatiques mobiles exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,867 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire optimisée : l'organisation 64 Mo x 16 assure une gestion efficace des données
- Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 105 °C (TC) pour une fiabilité en environnements extrêmes
- Faible consommation d'énergie : l'alimentation à double tension (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) optimise l'efficacité énergétique.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) permet de concevoir des circuits imprimés compacts.
- Qualité industrielle : l'interface LVSTL_11 garantit une intégrité du signal robuste
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire LPDDR4 haute fiabilité est conçue pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une tolérance aux températures extrêmes
- Systèmes d'infodivertissement automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
- Infrastructure de télécommunications et équipements de réseau 5G
- Plateformes informatiques embarquées hautes performances
Qualité et conformité
Le W66AP6NBUAGJ TR répond à des normes de qualité rigoureuses et est conforme à la directive RoHS , garantissant ainsi le respect de l'environnement et la conformité réglementaire pour les marchés internationaux. Fabriqué par Winbond Electronics, leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, ce composant offre la fiabilité et les performances requises par vos applications critiques.
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire haut de gamme pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie. Visitez notre page d'accueil pour découvrir notre gamme complète de semi-conducteurs haute fiabilité, ou consultez notre blog technique pour les dernières tendances et nouveautés produits.
No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.
