Winbond Electronics W66AP6NBUAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.50 | Dhs. 11.50 |
| 15+ | Dhs. 11.13 | Dhs. 166.95 |
| 25+ | Dhs. 10.89 | Dhs. 272.25 |
| 50+ | Dhs. 10.29 | Dhs. 514.50 |
| 100+ | Dhs. 9.08 | Dhs. 908.00 |
| N+ | Dhs. 1.82 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4 mobile |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 2,133 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-WFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |
Mémoire SDRAM LPDDR4 haute performance Winbond W66AP6NBUAHJ TR
La mémoire Winbond W66AP6NBUAHJ TR est une mémoire SDRAM LPDDR4 de 1 Gbit de pointe, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Grâce à sa technologie de semi-conducteurs avancée, ce module mémoire offre des performances exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et un temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les objets connectés industriels.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 2,133 GHz garantit un traitement rapide des données pour des applications réactives.
- Architecture mémoire optimisée : l'organisation 64 Mo x 16 assure une gestion efficace des données
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) pour des performances fiables dans des environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR4 est optimisée pour les appareils mobiles et alimentés par batterie.
- Interface standard du secteur : interface LVSTL_11 pour une intégration transparente
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 200-WFBGA (10 x 14,5) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM LPDDR4 polyvalente est parfaitement adaptée aux applications suivantes :
- Appareils mobiles (smartphones, tablettes)
- Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
- Systèmes de contrôle industriels
- Dispositifs IoT et de calcul en périphérie
- Équipement médical
- Infrastructure de télécommunications
Pourquoi choisir Winbond W66AP6NBUAHJ TR ?
Winbond Electronics est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, fournissant des composants fiables et de haute qualité pour les applications critiques. La mémoire W66AP6NBUAHJ TR associe la technologie LPDDR4 éprouvée à une conception robuste pour garantir des performances constantes même dans des conditions d'utilisation exigeantes.
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