Winbond Electronics W66AP6NBUAHJ TR

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Prix habituel Dhs. 11.50
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 11.50 Dhs. 11.50
15+ Dhs. 11.13 Dhs. 166.95
25+ Dhs. 10.89 Dhs. 272.25
50+ Dhs. 10.29 Dhs. 514.50
100+ Dhs. 9.08 Dhs. 908.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4 mobile
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 64M x 16
Interface mémoire LVSTL_11
Fréquence d'horloge 2,133 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,6 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-WFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-WFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Mémoire SDRAM LPDDR4 haute performance Winbond W66AP6NBUAHJ TR

La mémoire Winbond W66AP6NBUAHJ TR est une mémoire SDRAM LPDDR4 de 1 Gbit de pointe, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Grâce à sa technologie de semi-conducteurs avancée, ce module mémoire offre des performances exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et un temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les objets connectés industriels.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 2,133 GHz garantit un traitement rapide des données pour des applications réactives.
  • Architecture mémoire optimisée : l'organisation 64 Mo x 16 assure une gestion efficace des données
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) pour des performances fiables dans des environnements difficiles.
  • Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR4 est optimisée pour les appareils mobiles et alimentés par batterie.
  • Interface standard du secteur : interface LVSTL_11 pour une intégration transparente
  • Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 200-WFBGA (10 x 14,5) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM LPDDR4 polyvalente est parfaitement adaptée aux applications suivantes :

  • Appareils mobiles (smartphones, tablettes)
  • Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
  • Systèmes de contrôle industriels
  • Dispositifs IoT et de calcul en périphérie
  • Équipement médical
  • Infrastructure de télécommunications

Pourquoi choisir Winbond W66AP6NBUAHJ TR ?

Winbond Electronics est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, fournissant des composants fiables et de haute qualité pour les applications critiques. La mémoire W66AP6NBUAHJ TR associe la technologie LPDDR4 éprouvée à une conception robuste pour garantir des performances constantes même dans des conditions d'utilisation exigeantes.

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