Winbond Electronics W66AQ6NBHAHJ TR

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Prix habituel Dhs. 10.49
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 10.49 Dhs. 10.49
15+ Dhs. 10.17 Dhs. 152.55
25+ Dhs. 9.95 Dhs. 248.75
50+ Dhs. 9.39 Dhs. 469.50
100+ Dhs. 8.29 Dhs. 829.00
N+ Dhs. 1.66 Price Inquiry
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 64M x 16
Interface mémoire LVSTL_06
Fréquence d'horloge 2,133 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,6 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 100-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 100-VFBGA (10x7,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Winbond W66AQ6NBHAHJ TR - DRAM LPDDR4X mobile hautes performances

La mémoire Winbond W66AQ6NBHAHJ TR est une DRAM mobile LPDDR4X de 1 Gbit de pointe, conçue pour les applications haute fiabilité dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire avancé offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les applications embarquées exigeantes nécessitant à la fois vitesse et fiabilité.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 2,133 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation optimisée de la mémoire : la configuration 64 Mo x 16 offre des options d’intégration flexibles
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 105 °C (TC) pour les applications industrielles et automobiles
  • Faible consommation d'énergie : technologie LPDDR4X avec double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V)
  • Boîtier compact pour montage en surface : 100-VFBGA (10 x 7,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire DRAM LPDDR4X haute fiabilité est conçue pour les applications critiques, notamment :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Électronique automobile et systèmes ADAS
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Informatique embarquée haute performance

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