Winbond Electronics W66AQ6NBQAFJ TR

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15+ Dhs. 10.58 Dhs. 158.70
25+ Dhs. 10.35 Dhs. 258.75
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 64M x 16
Interface mémoire LVSTL_06
Fréquence d'horloge 1,6 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,6 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

W66AQ6NBQAFJ TR - Mémoire SDRAM LPDDR4X mobile haute performance

La mémoire SDRAM LPDDR4X 1 Gbit W66AQ6NBQAFJ TR de Winbond Electronics est une solution de pointe conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce semi-conducteur haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 1,6 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes critiques nécessitant à la fois vitesse et fiabilité.

Principales caractéristiques et avantages

  • Technologie LPDDR4X avancée : mémoire DRAM mobile basse consommation optimisée pour un fonctionnement écoénergétique dans les systèmes portables et embarqués.
  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,6 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation mémoire robuste : la configuration 64 Mo x 16 offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.
  • Une large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 105 °C (TC) garantit un fonctionnement fiable dans des conditions environnementales extrêmes.
  • Alimentation à double tension : 1,06 V ~ 1,17 V et 1,7 V ~ 1,95 V pour une gestion optimisée de l’alimentation
  • Conception pour montage en surface : le boîtier 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire mobile LPDDR4X haut de gamme est spécialement conçue pour les applications à haute fiabilité, notamment :

  • Systèmes aérospatiaux et avioniques
  • Systèmes d'infodivertissement automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées

Pourquoi choisir la mémoire Winbond LPDDR4X ?

Winbond Electronics est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, proposant des produits alliant technologie de pointe et fiabilité éprouvée. La W66AQ6NBQAFJ TR représente le summum de l'ingénierie DRAM mobile, offrant un équilibre parfait entre performances, efficacité énergétique et durabilité pour les systèmes embarqués de nouvelle génération.

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Commandez dès aujourd'hui le W66AQ6NBQAFJ TR et découvrez la fiabilité et les performances exigées par les applications critiques.

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