Winbond Electronics W66AQ6NBQAGJ TR

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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 11.05 Dhs. 11.05
15+ Dhs. 10.72 Dhs. 160.80
25+ Dhs. 10.49 Dhs. 262.25
50+ Dhs. 9.90 Dhs. 495.00
100+ Dhs. 8.74 Dhs. 874.00
N+ Dhs. 1.75 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 64M x 16
Interface mémoire LVSTL_06
Fréquence d'horloge 1,867 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,6 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Winbond W66AQ6NBQAGJ TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR4X haute performance

La mémoire W66AQ6NBQAGJ TR de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR4X 1 Gbit haute fiabilité conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Offrant des performances exceptionnelles dans les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications, cette solution de mémoire volatile allie faible consommation d'énergie et robustesse.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 1,867 GHz et un temps d'accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TC), ce qui le rend idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Conception basse consommation : l'alimentation à double tension (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) optimise l'efficacité énergétique des appareils mobiles et alimentés par batterie.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Mo x 16 avec interface LVSTL_06 offre des options d’intégration polyvalentes
  • Boîtier CMS : le boîtier 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM LPDDR4X est conçue pour les applications critiques, notamment :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Modules de commande des systèmes ADAS, d'infodivertissement et du groupe motopropulseur pour l'automobile
  • équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
  • Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Infrastructures de télécommunications et stations de base 5G
  • Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité

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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haut de gamme pour les applications les plus exigeantes. Notre vaste gamme de mémoires comprend des puces DRAM, SRAM, Flash et des solutions de mémoire spécialisées provenant des plus grands fabricants. Chaque composant est approvisionné par des canaux agréés et bénéficie de notre engagement envers la qualité et la fiabilité.

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