Winbond Electronics W66AQ6NBUAFJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.24 | Dhs. 11.24 |
| 15+ | Dhs. 10.89 | Dhs. 163.35 |
| 25+ | Dhs. 10.66 | Dhs. 266.50 |
| 50+ | Dhs. 10.06 | Dhs. 503.00 |
| 100+ | Dhs. 8.88 | Dhs. 888.00 |
| N+ | Dhs. 1.78 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_06 |
| Fréquence d'horloge | 1,6 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-WFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
Mémoire DRAM LPDDR4X mobile haute performance Winbond W66AQ6NBUAFJ TR
La W66AQ6NBUAFJ TR de Winbond Electronics est une solution de mémoire DRAM mobile LPDDR4X 1 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce semi-conducteur haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 1,6 GHz et un temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués et les plateformes informatiques mobiles exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,6 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire optimisée : l'organisation 64 Mo x 16 assure une gestion efficace des données pour les applications mobiles.
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) pour les environnements industriels difficiles
- Faible consommation d'énergie : l'alimentation à double tension (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) optimise l'efficacité énergétique.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 200-WFBGA (10 x 14,5) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Conformité sectorielle : Conforme à la directive RoHS en matière de responsabilité environnementale
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DRAM mobile LPDDR4X est parfaitement adaptée aux applications suivantes :
- Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
- Plateformes d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- équipement de diagnostic médical
- Infrastructure de télécommunications
- Informatique mobile et applications embarquées
Pourquoi choisir Winbond W66AQ6NBUAFJ TR ?
Winbond Electronics s'est imposée comme un leader de confiance dans le domaine des solutions semi-conducteurs haute fiabilité. La mémoire W66AQ6NBUAFJ TR associe la technologie LPDDR4X de pointe à une conception robuste pour garantir des performances constantes, même dans les environnements les plus exigeants. Que vous conceviez des systèmes automobiles de nouvelle génération ou des équipements industriels critiques, cette solution mémoire offre la vitesse, la fiabilité et l'efficacité requises par votre application.
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