Winbond Electronics W66BQ2NQQAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.71 | Dhs. 13.71 |
| 15+ | Dhs. 13.27 | Dhs. 199.05 |
| 25+ | Dhs. 12.98 | Dhs. 324.50 |
| 50+ | Dhs. 12.26 | Dhs. 613.00 |
| 100+ | Dhs. 10.82 | Dhs. 1,082.00 |
| N+ | Dhs. 2.16 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 |
| Interface mémoire | LVSTL_06 |
| Fréquence d'horloge | 1,867 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
Mémoire SDRAM LPDDR4X haute performance Winbond W66BQ2NQQAGJ TR
La mémoire Winbond W66BQ2NQQAGJ TR est une SDRAM LPDDR4X 2 Gbit haute fiabilité conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Offrant des performances et une efficacité énergétique supérieures, ce circuit intégré mémoire délivre une vitesse exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 1,867 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 1,867 GHz avec un temps d’accès de 3,6 ns pour un fonctionnement système réactif.
- Architecture mémoire optimisée : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 64 M x 32 pour une gestion efficace des données
- Une large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 105 °C (TC) garantit un fonctionnement fiable même dans des environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : Technologie LPDDR4X avec double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) pour une autonomie prolongée de la batterie.
- Boîtier compact pour montage en surface : 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Idéal pour les appareils mobiles, les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les appareils IoT et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire haute vitesse et basse consommation avec une tolérance aux températures étendues.
Spécifications techniques
Qualité et conformité
Fabriqué par Winbond Electronics, un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, ce composant est conforme à la directive RoHS et bénéficie d'une documentation technique complète et de ressources d'assistance à la conception.
Conditionnement : Disponible en bande et bobine (TR) pour les processus d'assemblage automatisés, assurant une intégration de production efficace et une protection des composants.
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