Winbond Electronics W66BQ2NQQAHJ TR

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Prix habituel Dhs. 13.82
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15+ Dhs. 13.37 Dhs. 200.55
25+ Dhs. 13.08 Dhs. 327.00
50+ Dhs. 12.35 Dhs. 617.50
100+ Dhs. 10.90 Dhs. 1,090.00
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 64M x 32
Interface mémoire LVSTL_06
Fréquence d'horloge 2,133 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,6 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

La mémoire Winbond W66BQ2NQQAHJ TR est une solution de mémoire mobile SDRAM LPDDR4X 2 Gbit hautes performances, conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, médical et des télécommunications. Ce composant mémoire avancé offre une vitesse exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes mobiles et embarqués de nouvelle génération.

Dotée d'une organisation mémoire de 64 Mbits/32 octets dans un boîtier compact TFBGA de 200 octets, cette mémoire SDRAM LPDDR4X offre un stockage de mémoire volatile fiable grâce à l'interface LVSTL_06. Fonctionnant sur une large plage de températures, de -40 °C à 105 °C (TC), elle garantit des performances constantes même dans des environnements difficiles.

Caractéristiques et spécifications principales :

  • Capacité de mémoire de 2 Gbit avec une organisation de 64 Mbits x 32 bits
  • Fréquence d'horloge haute vitesse de 2,133 GHz pour des performances supérieures
  • Temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns et temps de cycle d'écriture de 18 ns
  • Fonctionnement à double tension : 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
  • Plage de température de fonctionnement étendue : -40 °C à 105 °C (TC)
  • Boîtier compact 200-TFBGA (10 x 14,5) pour montage en surface
  • Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
  • Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Ce composant mémoire Winbond LPDDR4X est conçu pour une disponibilité à long terme et une traçabilité complète, répondant aux exigences strictes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et du médical. Sa faible consommation et ses performances à haute vitesse en font un excellent choix pour l'informatique mobile, les objets connectés et les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire fiables et à large bande passante.

Ressources connexes :

  • Explorez notre collection complète de mémoires : parcourez notre gamme complète de solutions de mémoire à semi-conducteurs, incluant les composants DRAM, SRAM, Flash et MRAM.
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