Winbond Electronics W66BQ2NQUAGJ TR

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Prix habituel Dhs. 14.38
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 14.38 Dhs. 14.38
15+ Dhs. 13.92 Dhs. 208.80
25+ Dhs. 13.62 Dhs. 340.50
50+ Dhs. 12.86 Dhs. 643.00
100+ Dhs. 11.35 Dhs. 1,135.00
N+ Dhs. 2.27 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 64M x 32
Interface mémoire LVSTL_06
Fréquence d'horloge 1,867 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,6 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-WFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-WFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Winbond W66BQ2NQUAGJ TR - Circuit intégré de mémoire DRAM mobile LPDDR4X 2 Gbit

La puce Winbond W66BQ2NQUAGJ TR est une mémoire DRAM mobile haute performance de 2 Gbit conçue pour les applications critiques exigeant une vitesse, une fiabilité et une efficacité énergétique exceptionnelles. Basée sur la technologie LPDDR4X avancée, cette solution de mémoire volatile offre une fréquence d'horloge de 1,867 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,867 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Architecture mémoire optimisée : organisation 64M x 32 (capacité de 2 Gbit) offrant des options d'intégration flexibles
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) pour les environnements industriels difficiles
  • Faible consommation d'énergie : l'alimentation à double tension (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) optimise l'efficacité énergétique.
  • Boîtier compact pour montage en surface : son format 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) permet un gain de place sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
  • Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés

Applications idéales

Cette mémoire DRAM mobile LPDDR4X est conçue pour les applications exigeantes, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les systèmes d'infodivertissement automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'avionique aérospatiale, où une disponibilité à long terme et une traçabilité complète sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Qualité et conformité

En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation de traçabilité complète et garantissons l'authenticité des composants Winbond, certifiés conformes aux normes RoHS et REACH. Tous nos produits bénéficient d'une disponibilité tout au long de leur cycle de vie, essentielle pour les applications critiques.

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