Winbond Electronics W66BQ6NBHAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.08 | Dhs. 10.08 |
| 15+ | Dhs. 9.75 | Dhs. 146.25 |
| 25+ | Dhs. 9.54 | Dhs. 238.50 |
| 50+ | Dhs. 9.01 | Dhs. 450.50 |
| 100+ | Dhs. 7.95 | Dhs. 795.00 |
| N+ | Dhs. 1.59 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_06 |
| Fréquence d'horloge | 1,867 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 100-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 100-VFBGA (10x7,5) |
| RoHS |  |
Mémoire DRAM LPDDR4X mobile haute performance Winbond W66BQ6NBHAGJ TR
La mémoire Winbond W66BQ6NBHAGJ TR est une solution DRAM mobile LPDDR4X de 2 Gbits de pointe, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une vitesse, une fiabilité et une efficacité énergétique exceptionnelles. Ce composant de mémoire volatile de qualité industrielle offre des performances supérieures grâce à une fréquence d'horloge de 1,867 GHz et un temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des télécommunications et des systèmes industriels avancés.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 1,867 GHz et un temps d'accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques.
- Architecture mémoire optimisée : l’organisation 128 M x 16 (capacité de 2 Gbit) offre une intégration flexible pour les systèmes embarqués.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TC), idéal pour les environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR4X avec double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) optimise l'efficacité énergétique.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement 100-VFBGA (10 x 7,5 mm) permet des agencements de circuits imprimés à espace limité.
- Interface LVSTL_06 : L’interface mémoire standard de l’industrie assure une large compatibilité
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DRAM mobile LPDDR4X est spécialement conçue pour les systèmes embarqués à haute fiabilité, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Modules ADAS, d'infodivertissement et d'ECU pour l'automobile
- Contrôleurs d'automatisation industrielle et de robotique
- Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
- Infrastructures de télécommunications et stations de base 5G
- Plateformes informatiques embarquées hautes performances
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