Winbond Electronics W66BQ6NBUAHJ TR

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Promotion Épuisé
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1 Dhs. 12.14 Dhs. 12.14
15+ Dhs. 11.76 Dhs. 176.40
25+ Dhs. 11.50 Dhs. 287.50
50+ Dhs. 10.86 Dhs. 543.00
100+ Dhs. 9.59 Dhs. 959.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 16
Interface mémoire LVSTL_11
Fréquence d'horloge 2,133 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,5 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-WFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-WFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Winbond W66BQ6NBUAHJ TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR4X haute performance

La mémoire Winbond W66BQ6NBUAHJ TR est une mémoire SDRAM mobile LPDDR4X de 2 Gbits haute fiabilité, conçue pour les applications critiques des secteurs automobile, industriel, médical et des télécommunications. Offrant des performances et une efficacité énergétique supérieures, ce circuit intégré mémoire délivre une vitesse exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 2,133 GHz tout en maintenant une faible consommation d'énergie sur ses deux rails d'alimentation.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et un temps d'accès de 3,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
  • Architecture mémoire optimisée : l'organisation 128 Mo x 16 offre une intégration flexible pour les systèmes embarqués et les plateformes mobiles.
  • Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) garantissant une fiabilité optimale dans les environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Conception à faible consommation : le fonctionnement à double tension (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) minimise la consommation d'énergie des appareils alimentés par batterie.
  • Interface standard de l'industrie : l'interface LVSTL_11 assure une compatibilité parfaite avec les processeurs et contrôleurs modernes.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette solution de mémoire LPDDR4X est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
  • Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
  • Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Infrastructure de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées hautes performances
  • Dispositifs IoT périphériques nécessitant une mémoire fiable

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Spécifications techniques

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