Winbond Electronics W9412G6KH-5 TR

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire SSTL_2
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 50 ns
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Mémoire SDRAM DDR haute performance Winbond W9412G6KH-5 TR - 128 Mbit

La puce mémoire DDR SDRAM W9412G6KH-5 TR de Winbond Electronics est une solution haute performance conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Cette mémoire volatile offre des performances fiables grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 50 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un traitement rapide des données et un stockage temporaire.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 50 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 8 M x 16 offre une flexibilité d’adressage mémoire pour diverses architectures système.
  • Interface standard de l'industrie : l'interface SSTL_2 assure la compatibilité avec les contrôleurs SDRAM DDR standard.
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions compactes.
  • Large plage de fonctionnement : la plage de température de 0 °C à 70 °C convient aux environnements commerciaux et industriels.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V réduit la consommation d’énergie dans les systèmes alimentés par batterie et à faible consommation énergétique.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette puce mémoire DDR SDRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements réseau et aux objets connectés (IoT) où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle. Son conditionnement en bande et bobine la rend idéale pour les processus d'assemblage automatisés à haut volume.

Spécifications techniques


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