Winbond Electronics W955K8MBYA5I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.27 | Dhs. 4.27 |
| 15+ | Dhs. 4.14 | Dhs. 62.10 |
| 25+ | Dhs. 4.05 | Dhs. 101.25 |
| 50+ | Dhs. 3.83 | Dhs. 191.50 |
| 100+ | Dhs. 3.38 | Dhs. 338.00 |
| N+ | Dhs. 0.68 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | HyperRAM |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
Winbond W955K8MBYA5I - Circuit intégré de mémoire DRAM HyperRAM 32 Mbit
La W955K8MBYA5I de Winbond Electronics est une solution de mémoire DRAM HyperRAM 32 Mbit hautes performances conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire volatile intègre la technologie d'interface HyperBus avancée, offrant des vitesses de transfert de données exceptionnelles jusqu'à une fréquence d'horloge de 200 MHz avec un temps d'accès ultra-rapide de 35 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 35 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Conception compacte : le boîtier CMS 24-TFBGA (6x8) optimise l'espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
- Fiabilité de qualité industrielle : large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles.
- Gestion efficace de l'énergie : le fonctionnement à basse tension (1,7 V ~ 2 V) réduit la consommation d'énergie des appareils alimentés par batterie
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 4M x 8 offre une architecture de stockage de données polyvalente
- Interface avancée : la technologie HyperBus simplifie le routage des circuits imprimés et réduit le nombre de broches par rapport aux interfaces parallèles traditionnelles.
Applications idéales
Cette mémoire DRAM HyperRAM est parfaitement adaptée à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux appareils IoT, aux équipements médicaux et aux plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un encombrement minimal.
Spécifications techniques
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Ressources et assistance techniques
Besoin d'aide pour la conception ou de spécifications techniques ? Consultez notre blog technique pour accéder à des notes d'application, des guides de conception et des analyses sectorielles qui vous aideront à choisir vos composants en toute connaissance de cause.
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