Winbond Electronics W955K8MBYA5I TR

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15+ Dhs. 3.93 Dhs. 58.95
25+ Dhs. 3.84 Dhs. 96.00
50+ Dhs. 3.63 Dhs. 181.50
100+ Dhs. 3.20 Dhs. 320.00
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie HyperRAM
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire HyperBus
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 35 ns
Temps d'accès 35 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-TFBGA (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Winbond W955K8MBYA5I TR - Circuit intégré de mémoire DRAM HyperRAM haute performance de 32 Mbits

La mémoire DRAM HyperRAM 32 Mbit Winbond W955K8MBYA5I TR est une solution de pointe conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Dotée d'une interface HyperBus avancée et d'un boîtier TFBGA 24 broches compact, cette puce mémoire offre des performances exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 35 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 35 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
  • Interface HyperBus : Interface série avancée réduisant le nombre de broches tout en maintenant une bande passante élevée pour une conception système efficace.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
  • Format compact : le boîtier CMS 24-TFBGA (8x6) optimise l'espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V réduit la consommation d’énergie pour des systèmes économes en énergie.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 4M x 8 offre une architecture de stockage de données polyvalente
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire HyperRAM est parfaitement adapté aux appareils IoT, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux technologies portables, aux équipements médicaux et aux plateformes informatiques embarquées où une mémoire volatile à haute vitesse et à faible consommation d'énergie est essentielle.

Spécifications techniques

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