Winbond Electronics W955N8MBYA5I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.27 | Dhs. 4.27 |
| 15+ | Dhs. 4.14 | Dhs. 62.10 |
| 25+ | Dhs. 4.05 | Dhs. 101.25 |
| 50+ | Dhs. 3.83 | Dhs. 191.50 |
| 100+ | Dhs. 3.38 | Dhs. 338.00 |
| N+ | Dhs. 0.68 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | HyperRAM |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (8x6) |
| RoHS |  |
Circuit intégré de mémoire HyperRAM Winbond W955N8MBYA5I - Solution DRAM haute performance
La puce Winbond W955N8MBYA5I est une mémoire DRAM HyperRAM 32 Mbit de pointe, conçue pour les applications embarquées haute vitesse exigeant une mémoire volatile fiable. Cette solution mémoire avancée offre un débit de données exceptionnel grâce à son interface HyperBus 200 MHz, ce qui la rend idéale pour l'automatisation industrielle, les systèmes automobiles, les objets connectés et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 35 ns garantissent une récupération et un traitement rapides des données.
- Organisation efficace de la mémoire : configuration 4 M x 8 optimisée pour les architectures de systèmes embarqués
- Interface standard de l'industrie : le protocole HyperBus permet une intégration transparente avec les microcontrôleurs et processeurs modernes.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et tolérance de température de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 24-TFBGA (8x6) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
La mémoire HyperRAM W955N8MBYA5I est parfaitement adaptée pour :
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Applications d'infodivertissement et de systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
- Dispositifs informatiques de périphérie IoT
- Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
- Systèmes embarqués hautes performances nécessitant une mémoire tampon rapide
- Systèmes d'acquisition et de traitement de données en temps réel
Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?
Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité pour les applications critiques. Notre vaste gamme de solutions de mémoire comprend les dernières puces DRAM, mémoires flash et mémoires spécialisées de fabricants de renom tels que Winbond Electronics.
Chaque composant provient directement de distributeurs agréés, garantissant une traçabilité complète, une qualité irréprochable et un support technique tout au long du cycle de vie. Notre équipe technique vous accompagne dans le choix de la solution mémoire optimale pour votre application.
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Winbond W955N8MBYA5I - Circuit intégré de mémoire DRAM HyperRAM 32 Mbit | HyperBus 200 MHz.pdf