Winbond Electronics W955N8MBYA5I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.05 | Dhs. 4.05 |
| 15+ | Dhs. 3.93 | Dhs. 58.95 |
| 25+ | Dhs. 3.84 | Dhs. 96.00 |
| 50+ | Dhs. 3.63 | Dhs. 181.50 |
| 100+ | Dhs. 3.20 | Dhs. 320.00 |
| N+ | Dhs. 0.64 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | HyperRAM |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (8x6) |
| RoHS |  |
Mémoire DRAM HyperRAM haute performance Winbond W955N8MBYA5I TR - 32 Mbit
La mémoire DRAM HyperRAM 32 Mbit Winbond W955N8MBYA5I TR est une solution de pointe conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée d'une interface HyperBus avancée et fonctionnant à une fréquence d'horloge de 200 MHz, cette puce mémoire offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultra-rapide de 35 ns, ce qui la rend idéale pour le traitement en temps réel, les objets connectés, les systèmes automobiles et les applications de contrôle industriel.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 35 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface HyperBus : cette interface mémoire série avancée réduit le nombre de broches tout en conservant une bande passante élevée.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 4 M x 8 optimisée pour les architectures de systèmes embarqués
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour une utilisation en environnement difficile
- Large plage de tension d'alimentation : compatibilité avec les tensions d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente.
- Format compact : Boîtier CMS 24-TFBGA (8x6) peu encombrant
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DRAM HyperRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux applications suivantes :
- Applications des systèmes embarqués et des microcontrôleurs
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et systèmes ADAS
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
- Équipements et instruments médicaux
- applications aérospatiales et de défense
- Infrastructure réseau et télécommunications
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