Winbond Electronics W957A8MFYA5I TR

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Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 6.03 Dhs. 6.03
15+ Dhs. 5.82 Dhs. 87.30
25+ Dhs. 5.70 Dhs. 142.50
50+ Dhs. 5.38 Dhs. 269.00
100+ Dhs. 4.75 Dhs. 475.00
N+ Dhs. 0.95 Price Inquiry
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie HyperRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire HyperBus
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 35 ns
Temps d'accès 36 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-TFBGA (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

W957A8MFYA5I TR - Circuit intégré de mémoire DRAM HyperRAM haute performance de 128 Mbit

Le W957A8MFYA5I TR de Winbond Electronics est une solution de mémoire DRAM HyperRAM 128 Mbit de pointe, conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 36 ns, ce qui le rend idéal pour les applications gourmandes en bande passante nécessitant un traitement rapide des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 36 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications en temps réel.
  • Architecture mémoire flexible : capacité de 128 Mbit organisée en 16 Mbit x 8, offrant des options de stockage polyvalentes
  • Interface HyperBus avancée : une connectivité simplifiée réduit le nombre de broches et simplifie la conception des circuits imprimés.
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V optimise l'efficacité énergétique.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 24 TFBGA (8 x 6) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire HyperRAM polyvalent est parfaitement adapté à :

  • Systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile à haute vitesse
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Applications électroniques automobiles et ADAS
  • Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
  • Équipements et instruments médicaux
  • Infrastructure de télécommunications

Spécifications techniques

Pourquoi choisir Winbond Electronics ?

Winbond Electronics est un leader mondial reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, fournissant des composants de haute qualité, d'une fiabilité éprouvée et d'une disponibilité à long terme. Forte de plusieurs décennies d'expertise en technologie de mémoire, Winbond garantit des performances constantes et un support technique complet pour vos applications critiques.

Approvisionnement authentique et assurance qualité

Nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants Winbond, provenant directement de distributeurs agréés. Chaque circuit intégré est soumis à un contrôle qualité rigoureux afin de garantir sa conformité aux spécifications du fabricant d'origine. Notre engagement envers l'authenticité et la qualité vous assure une totale tranquillité d'esprit pour vos projets critiques.

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