Winbond Electronics W957D6NBGX4I TR

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15+ Dhs. 4.20 Dhs. 63.00
25+ Dhs. 4.11 Dhs. 102.75
50+ Dhs. 3.88 Dhs. 194.00
100+ Dhs. 3.43 Dhs. 343.00
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À propos de ce produit

La W957D6NBGX4I TR est une mémoire PSRAM HyperBus 128 Mbit hautes performances de Winbond Electronics, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Grâce à sa fréquence d'horloge impressionnante de 250 MHz et à son temps d'accès rapide de 40 ns, cette solution mémoire offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes critiques où les performances sont primordiales.

Caractéristiques et spécifications principales

  • Capacité de mémoire : 128 Mbit (organisation 8M x 16) offrant un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.
  • Interface haut débit : l'interface HyperBus permet des débits de transfert de données rapides jusqu'à 250 MHz.
  • Fiabilité de niveau industriel : large plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TC)
  • Alimentation flexible : double tension d’alimentation (1,3 V-1,45 V et 1,7 V-2 V) pour une intégration système polyvalente.
  • Encombrement réduit : Boîtier CMS 49-WFBGA (4x4) optimisé pour les conceptions à espace restreint
  • Accès rapide : un temps d’accès de 40 ns et un temps de cycle d’écriture de 35 ns garantissent des performances système réactives.
  • Conforme aux normes environnementales : certifié RoHS pour la conformité réglementaire mondiale

Applications et cas d'utilisation

Cette PSRAM est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
  • Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Dispositifs IoT et applications de calcul en périphérie
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Systèmes embarqués hautes performances

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8M x 16
Interface mémoire HyperBus
Fréquence d'horloge 250 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 35 ns
Temps d'accès 40 ns
Tension - Alimentation 1,3 V ~ 1,45 V, 1,7 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 49-WFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 49-WFBGA (4x4)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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