Winbond Electronics W957D8MFYA5I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.03 | Dhs. 6.03 |
| 15+ | Dhs. 5.82 | Dhs. 87.30 |
| 25+ | Dhs. 5.70 | Dhs. 142.50 |
| 50+ | Dhs. 5.38 | Dhs. 269.00 |
| 100+ | Dhs. 4.75 | Dhs. 475.00 |
| N+ | Dhs. 0.95 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | HyperRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 36 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA, DDP (6x8) |
| RoHS |  |
Winbond W957D8MFYA5I TR - Circuit intégré de mémoire DRAM HyperRAM 128 Mbit
La puce Winbond W957D8MFYA5I TR est une mémoire DRAM HyperRAM 128 Mbit hautes performances conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeant une mémoire volatile rapide et fiable dans un format compact. Dotée d'une interface HyperBus et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz, cette solution mémoire offre un débit de données exceptionnel avec une faible latence, ce qui la rend idéale pour le traitement en temps réel, l'informatique de périphérie et les systèmes embarqués gourmands en bande passante.
Principales caractéristiques et avantages
- Interface HyperBus haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 35 ns et un temps d’accès de 36 ns pour un transfert de données rapide.
- Boîtier compact 24-TFBGA : format DDP 6 x 8 mm peu encombrant, idéal pour les conceptions à espace restreint.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, convient aux environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V optimisée pour les applications alimentées par batterie et à faible consommation énergétique.
- Organisation 16M x 8 : Architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins applicatifs
- Technologie de montage en surface : intégration facile dans les flux de travail automatisés d’assemblage de circuits imprimés
Applications
Ce circuit intégré HyperRAM est conçu pour des applications exigeantes telles que les systèmes d'infodivertissement automobile, les systèmes de contrôle industriel, les dispositifs IoT périphériques, l'électronique portable, l'instrumentation médicale et la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse dans les conceptions basées sur des FPGA et des microcontrôleurs.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?
Chez HQICKEY , nous nous spécialisons dans l'approvisionnement authentique et la distribution mondiale de composants semi-conducteurs haut de gamme, assortis d'engagements sur le cycle de vie et de garanties de disponibilité à long terme. Notre vaste gamme de produits de mémoire comprend des mémoires DRAM, Flash, SRAM et des solutions de mémoire spécialisées provenant des plus grands fabricants mondiaux.
Ressources et assistance techniques
Pour des spécifications détaillées, des notes d'application, des directives de conception et les dernières informations sur l'industrie, visitez notre blog technique où notre équipe d'ingénieurs partage ses connaissances d'experts sur la sélection de la mémoire, les meilleures pratiques d'intégration et les technologies émergentes des semi-conducteurs.
Besoin d'aide pour le choix des composants ou pour connaître nos tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe technico-commerciale pour bénéficier d'un accompagnement personnalisé et de solutions sur mesure adaptées aux exigences de votre projet.
W957D8MFYA5I TR.pdf