Winbond Electronics W958D6NBKX5I TR

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Circuit intégré de mémoire PSRAM HyperBus Winbond W958D6NBKX5I TR - 256 Mbit

Le W958D6NBKX5I TR de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 256 Mbit doté de la technologie d'interface HyperBus. Conçue pour les applications embarquées exigeantes des systèmes industriels, automobiles et IoT, cette solution de mémoire volatile offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 35 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 35 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Architecture mémoire optimisée : capacité de 256 Mbits organisée en 16 M x 16, idéale pour les applications de mémoire tampon et de cache.
  • Interface HyperBus : une technologie d’interface avancée qui réduit le nombre de broches tout en maintenant une bande passante élevée.
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 49-WFBGA (4 x 4 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire PSRAM est parfaitement adaptée aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux équipements de contrôle industriels, aux dispositifs périphériques IoT, au matériel de réseau, à l'instrumentation médicale et aux plateformes informatiques embarquées hautes performances nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une latence minimale.

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Spécifications techniques complètes

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire HyperBus
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 35 ns
Temps d'accès 35 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 49-WFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 49-WFBGA (4x4)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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